主要研究AlAs/AlGaAs量子阱中相互作用的二维电子体系。该体系是一个有着可调节的谷自由度，并且有比GaAs/AlGaAs量子阱中二维电子气体系更强的相互作用水平。

实验手段方面，首先可以对体系施加单轴应力，实现对电子谷自由度的调节；并在稀释制冷机温区、强磁场中进行原位调节，并实现常规输运、电容、表面声学波等多种综合测量。基于压电陶瓷堆垛的应变腔已经完成第一代第二代的设计工作，并完成标定，准备投入使用。其中第一代应变腔基于三个压电陶瓷，尽量消除温度变化引入的内应力。第二代则拥有极大出力，可以实现对具有大杨氏模量的样品进行应变施加，预期将会有更大的应变调节范围及更均匀的样品应变分布。

实验手段上，还可以通过高压腔对体系施加静液压，实现对能带以及塞曼劈裂大小的调节；并完成稀释制冷机温区、强磁场中的常规输运测量。已经完成高压腔适配样品杆的设计加工及调试，实验中已经实现从静液压对浓度的影响反推对能带的调节作用。并计划完成通过静液压调节塞曼劈裂实现对Skyrmion的观测。